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本文以磁过滤真空阴极弧(Filtered Cathodic Vacuum Arc)技术制备的DLC薄膜为研究对象。通过改变衬底偏压和沉积时间研究磁头表面不同厚度DLC薄膜的结构、表面状态和性能随着衬底偏压的变化规律。以此为基础,我们可以更好的改进磁头表面超薄DLC的结构和性能并且优化超薄DLC的制备工艺,最终能够改进磁头的性能并延长磁头的使用寿命。目前,对于2nm左右的超薄DLC薄膜的研究还比较少,并且2nm的超薄DLC膜与较厚的DLC薄膜在结构上表现出较大的差异,结构的差异又会引起性能上的变化,所