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微分析技术已经成为微电子产业发展的重要技术支柱，FIB结合了精细加工技术和微分析技术，具有在亚微米线度上的微细加工和高分辨率成像的能力，使其成为TEM制样强有力的工具，以及作为电路修补的有力手段。
聚焦离子束系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中，过程中含有不可避免FIB的辐照影响，FIB辐照对微电子器件性能的影响受到广泛的关注。本文以FIB辐照对不同尺寸，不同类型的晶体管的影响作比较，主要在阈值电压，跨导，迁移率等参数的漂移方面作了较全面的研究，同时对不同类型的晶体管修复辐照损伤的方法作了讨论。
本文研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(201μm×20μm和20μm×0.8μm)，在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况，发现在辐射后两种晶体管的阈值电压，跨导，迁移率等参数发生了明显的漂移，辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30％的恢复，而在2小时退火条件下阈值电压几乎完全恢复。
又针对不同类型的晶体管(如埋沟工艺PMOS晶体管)，与常规的NMOS晶体管在FIB辐照下的电学性能对比，较常规工艺的NMOS晶体管，埋沟工艺的PMOS晶体管在跨导迁移率等参数的变化情况有相似的地方，但是在阈值电压变化，辐照损伤修复方面显示出不同的性能。
本文从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释，使实际的电路修补工作实现最优化，且更有针对性，从而确保器件在修补后的可靠性。