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随着高电压、大电流的半导体电力电子器件的不断进步,交直交电压型PWM变频调速技术在轧钢领域得以大力发展。基于最常用的4.5kV/4kA的非对称型IGCT半导体器件,二极管中点箝位式三电平变频器单机额定容量目前已经达到10MVA。如需要更高容量的变频设备,工程实践上目前大多采用NPC单机并联的办法实现,如以单机容量为10MVA的变频器进行多个并联,可以达到20MVA、30MVA以至更大容量。这样做工程实现虽简单,但成本高,无法满足中间容量的市场需求,浪费了系统资源。为了更经济地满足中间容量的变频器需求,本文深入研究了适用于IGCT、IEGT两种半导体器件的缓冲吸收电路,旨在设计一种可以提高二极管中点箝位式三电平变频器单机容量的缓冲吸收电路。本文基于PSIM仿真软件,采用曲线拟合的方法搭建了 IGCT、IEGT半导体器件的功能模型,利用模型分别研究了适用于NPC三电平IGCT变频器和NPC三电平IEGT变频器的缓冲吸收电路的换流过程及损耗分布。对比分析了采用IGCT与IEGT两种不同功率器件的变频器系统损耗情况,总结对比出IGCT的优势所在。利用单管仿真试验分析了吸收电容不同位置的作用,根据仿真结果从理论上分析了吸收电路可以减小器件关断损耗的原因。最后,本文提出了经典箝位RLCD添加RC吸收电路来提高变频器容量的设计思路。为工程实际,设计了适用于二极管中点箝位式三电平IGCT变频器的RLCD+2RC缓冲吸收电路,该电路可以有效地提高变频器额定容量。