论文在探索银、镍金属纳米线制备工艺的基础上,进一步设计、制备了基于银、镍纳米线及其氧硫化物半导体纳米材料的异质结构,深入研究了各种类型异质结构在光场和电场作用下的输运特性。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜等设备对纳米结构的微观形貌、化学成分和晶体结构进行了详细观察和表征。首先,尝试采用AgNO₃溶液法直接制备制备银纳米结构,通过改变溶液浓度以及电场强度,可以得到形态各异的银纳米结构。通过氧化铝模板法制备出了银纳米线阵列,其直径200 nm,长度约为10μm。采用本实验组的固态离子学方法生长的宏观长银纳米线簇,用电镀法制备镍壳/银芯纳米异质结,其长度可达微米量级,镍壳厚度约为100 nm,测试结果表明该微纳结构具有很好的光电响应特性。其次,采用氧化铝模板法制备了镍纳米线阵列,纳米线直径200 nm,长度可超过50μm。放置于空气中自然氧化12小时后,在镍纳米线表层形成氧化镍纳米层,厚度约为5 nm。使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜对镍纳米线及氧化层进行了详细表征,通过测量氧化镍吸收谱得到了氧化镍纳米层的禁带宽度。利用原子力显微镜,实现了对单个NiO-Ni肖特基结的测量,观测到了半导体-金属转变,并在理论上进行了分析。在此基础上,制备了Au-NiO-Ni双肖特基纳米结阵列,两个肖特基结呈“面对面”结构,可以很好地抑制半导体-金属转变前的正向电流,增大开/关状态下的电流比值。通过调控电压,我们得到了可重复的、转变迅速的开关器件。最后,利用气-固反应法对宏观长银纳米线簇进行硫化处理,得到具有不同厚度比值的硫化银壳/银芯同轴纳米结构,研究发现样品的光电导行为强烈依赖于硫化层厚度,其光电导变化值可以从负转为正,从而为调控纳米材料光电导提供了一种新的途径。