【摘 要】
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随着微波集成电路的发展,更高频率和带宽是功率MMIC的主要研究方向,GaAs毫米波宽带功率MMIC具有小型化、轻量化、高可靠性、强抗干扰能力、精确跟踪和测量能力等特点,可广泛
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随着微波集成电路的发展,更高频率和带宽是功率MMIC的主要研究方向,GaAs毫米波宽带功率MMIC具有小型化、轻量化、高可靠性、强抗干扰能力、精确跟踪和测量能力等特点,可广泛用于电子对抗、雷达制导等武器装备及民用卫星和通讯系统。通过18-38GHz 100mW功率单片,20-40GHz 300mW功率单片,26-39GHz 500mW功率单片及18.5-30GHz 1W等功率单片的研制,介绍了GaAs PHEMT材料结构设计,有源器件结构设计和建模方法,GaAs无源元件的结构特性,GaAs毫米波宽带功率MMIC的拓朴选择、电路设计和电磁仿真技术,功率MMIC关键工艺实现途径及毫米波功率MMIC测试方法。测试结果基本满足项目指标要求,证明了器件模型的准确性,放大器电路拓扑结构的合理性,以及GaAs MMIC工艺路线和测试方法的可行性。
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