本工作首先根据软旋转子模型，通过适当分带和安排能级的量子数，利用本征能量公式来拟合实验能级，获得哈密顿量参数再现了靶核的集体能级结构；然后利用哈密顿量波函数构造耦合结构，并用于耦合道光学模型计算。这样，可以有机地把描述核结构的软旋转子模型与描述散射问题的耦合道光学模型结合起来，并同时自洽地分析能级结构和散射数据。我们以硅，镁为例，计算分析了28，30Si和24，26Mg的能级结构和散射数据，并取得了较好的结果。 为减少光学势参数个数并限定参数的不确定性，本文在光学势中引入色散关系，将原子核光学势的实部与虚部联系起来，使得用同一平均场来描述束缚态和散射态成为可能，并构造了一个物理上更合理的能量相关色散光学势。对色散关系的积分困难作了处理，进行了解析形式的推导计算与数值验证。 最后，利用含色散关系的光学势计算分析28Si核的中子和质子散射实验数据，拟合得到一组色散光学势参数，极大地减少了原有光学势参数的个数。计算的中子总截面、以及中子、质子的弹性与非弹性散射微分截面与实验数据同样有较好的符合。结果表明，含色散关系的耦合道光学模型对较轻质量的变形核也是相当适应的。