论文部分内容阅读
GaN二次生长界面的研究
【摘 要】
：
氮化镓(GaN)因其优异的材料性能,在高频高压的电子元器件领域有着巨大的应用前景。随着GaN单晶衬底技术的发展,同质外延成为研究的热点。GaN同质外延在界面处存在杂质聚集现象,这一问题限制了 GaN同质器件发展。在电力电子器件中,二次生长界面是一个不可控的副沟道。二次生长界面的厚度在几十甚至上百纳米,其杂质聚集的特性在氮化镓基激光器结构中会影响谐振腔的广场分布。基于金属有机化合物化学气相沉积(MO
【机 构】
：
中国科学技术大学
【出 处】
：
中国科学技术大学
【发表日期】
：
2021年08期
【基金项目】
：
其他文献
Micro-LED与传统发光二极管的最大差异在于器件尺寸不同,并基于器件尺寸的差异引起其在电流密度、光输出功率密度和电流扩展能力等各方面的性能差异,在微型显示、光通讯和航空航天等领域有着十分巨大的应用潜力。尽管Micro-LED的尺寸微缩带来各种性能优势,但尺寸的微缩化也带来器件边缘效应和光效的尺寸效应等问题,并且巨量转移的良率有待进一步改善。目前Micro-LED阵列的制备方法主要有:刻蚀,离子
学位
结构光三维测量技术具有结构简单、精度高、速度快等特点,广泛应用于工业检测、机器导航等诸多领域,成为近些年来的研究热点。为了适应测量系统小型化、低成本化的发展需求,本文选择国产MEMS光机作为结构光投射设备,它相较于DLP投影仪具有体积小、成本低、功耗低等优势,但相应测量系统只能使用条纹。在现有的使用条纹的结构光法中,要么是测量精度高,但条纹数量较多而测量速度慢,要么是测量速度快,鲁棒性、测量精度却
学位