自从1948年Casimir效应被提出以来,无论是静态Casimir效应还是动态Casimir效应,人们从未停止过对其进行探究。Casimir-Polder力是Casimir效应的一种,是相对中性粒子而言的,研究中性粒子与导体板间的相互作用。在过去的几十年时间里,现代微电子和纳米电子系统在科学技术中越来越重要,与此同时,Casimir-Polder力在微观和纳米系统中也有着更重要的应用。Casimir-Polder力是可观测的量子效应,与背景场、时空的维数、系统的温度、边界条件等众多因素有关,在纳米技术等多方面有着重要的应用价值。对于Casimir-Polder力的研究大多数选用原子,因为电磁场的磁效应比较弱,与电效应同时存在时,会被湮灭,因而一般只考虑电磁场中的电效应。近年来,磁场对Casimir-Polder力的影响受到了人们的关注。由于中子不显电性而只具有磁的特性,不会由于电学性质太强而湮没磁学性质,所以本文研究中子在外磁场作用下与一维耗散腔间的动态Casimir-Polder力。在前两章中,本文简要介绍了Casimir效应的最近进展、选题意义、理论基础。第三章是本文的重点,将中子置于一维微波激射腔内,通过外加磁场研究磁效应对中子与耗散腔间的Casimir-Polder力的影响。应用Fox-Li准模理论,得到了在外磁场作用下中子与一维微波激射腔间的动态Casimir-Polder排斥力,并分析磁场强度和腔内各种参数对Casimir-Polder力的影响。最后一章是总结与展望。