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紫外LED在工业固化、固态照明、消毒、水净化、医疗和生物化学、高密度光学记录等方面有广阔的应用前景。以稀缺金属铟为主的ITO透明导电层不耐酸碱、工艺温度高、易脆,特别是在紫外波段有较高的吸收,难以运用到紫外LED的制造中。深紫外发光器件的主要材料为GaN,GaN具有较宽的能带宽度,很好的符合紫外波段的发光需求。但是正是因为GaN禁带宽度较宽,欧姆接触较难制备。针对上述问题,有研究者采用石墨烯来代替ITO作为GaN基LED的透明导电极。石墨烯具有高电子迁移率,以及极好的透光性,尤其在紫外波段表现良好,但是与p-GaN的欧姆接触较难形成。降低GaN对紫外波段的影响以及减少石墨烯的接触电阻,成为紫外发光器件的发展重要解决因素。寻找其他金属作为中间层形成复合结构,能够有效的克服由石墨烯和p-GaN之间功函数差异大带来的接触势垒过高问题。Ag退火后能够与p-GaN形成较好的欧姆接触,同时,薄Ag退火后形成纳米颗粒,对紫外光的透射大大提高。本论文围绕以石墨烯-Ag纳米颗粒作为透明电极的近紫外LED做了深入研究,特别是研究了石墨烯-Ag纳米颗粒透明电极中Ag厚度对器件光电特性的影响。主要研究内容和成果如下:1.发现Ag退火后对p-GaN具有激活作用,能够有效的降低石墨烯与p-GaN接触的肖特基势垒,在一定程度提高电学性能。2.得到了不同Ag厚度形成的透明电极与p-GaN的接触电阻及其紫外波段的透射率规律。Ag厚度越大接触电阻率越小,4nm和5nm的样品接触电阻率达到2.1× 10-5Ω·cm2,1.3× 10-4Ω·cm2。该结果可以指导不同波段紫外LED的透明电极中Ag厚度的选择。3.发现在320nm波段,电极透射率几乎不随Ag厚度变化,且高达82%,并对该结果进行了时域有限差分法仿真验证。该波段在生物、医疗方面有重要应用。该波段器件可以选用5nmAg可同时保证较低的接触电阻率和较高的透射率。4.研究了不同Ag厚度、有无石墨烯覆盖对Ag纳米颗粒的迁移和合并的影响。2nmAg的器件,Ag主要结球的半径较大,占空比较低,因此透射率比较高,而接触性能较差。5nmAg的器件,结球半径较小,分布比较密集,占空比较大,因此透射率比较低,但是电学性能较好。二次退火中有石墨烯覆盖比无石墨烯覆盖下Ag纳米颗粒平均体积更大,密度更低。