【摘 要】
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我们测量了T1BaCaCuO薄膜在零磁场下的电压-电流(Ⅴ-Ⅰ)关系,并分别用常规Kosterlitz-Thouless-Berezinskii(KTB)方法、动力学标度方法和有限尺寸标度方法分析了数据.结果发
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我们测量了T1<,2>Ba<,2>CaCu<,2>O<,8>薄膜在零磁场下的电压-电流(Ⅴ-Ⅰ)关系,并分别用常规Kosterlitz-Thouless-Berezinskii(KTB)方法、动力学标度方法和有限尺寸标度方法分析了数据.结果发现Ⅴ-Ⅰ关系由涡旋拆散机制决定,KTB动力学临界指数z=2,另外也发现了使相变特征变得模糊的有限尺寸效应的证据.我们在0到8 T的磁场下测量了高压合成的MgB<,2>块材的电阻转变,发现所得的不可逆场H<,irr>(T)和上临界场H<,c2>(T)非常接近于磁测量的结果.我们利用Arrhenius定律ρ=ρ<,0> exp(-U/k<,B>T),通过R(T)曲线的低耗散部分确定了激活能U,发现由U/κ<,B>T的值所衡量的热激活和热涨落效应非常弱.这可能进一步表明H<,irr>(T)附近的磁通动力学是由强的量子涨落和隧穿引起的.我们测量了不同厚度的高压合成MgB<,2>块材的磁弛豫,发现超导抗磁矩对数地依赖于时间;磁通蠕动激活能随电流密度上升线性下降(正如Kim-Anderson模型所预期的那样);而且激活能随着样品厚度线性增加直到1 mm左右.这些特征表明MgB<,2>中的磁通线非常硬,钉扎和蠕动可以用Kim-Anderson模型很好地描述.
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