太阳电池缓冲层CdS和CdxZn1-xS薄膜的制备研究

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【摘要】

：

薄膜太阳电池作为一种新的能源正在得到迅速的发展和进步。CIS (CuInSe2, CuInS2等)系薄膜太阳电池因其较高的转换效率、较低的成本,现在越来越受到人们的关注。CdS薄膜作为CIS系薄膜太阳电池的缓冲层,其质量直接影响电池的光电转换效率。本文在玻璃衬底上采用化学水浴沉积法制备CdS和CdxZn1-xS薄膜,研究工艺参数对薄膜的影响规律。以CdSO4为镉源,SC(NH2)2为硫源,用氨水作

【作者】

：

李海燚

【机构】

：

内蒙古大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

CIS薄膜太阳电池化学水浴沉积法(CBD) CdS CdxZn1-xS

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