本文利用非线性传递矩阵方法研究了垂直位型下(外加磁场方向与反铁磁各向异性轴垂直)反铁磁三明治结构(中间为反铁磁层，两侧为非磁介质层)的二次谐波生成。研究发现在反铁磁共振频率附近，这种三明治结构可以有效地增强二次谐波输出功率，但是非磁介质层的选取对二次谐波输出影响巨大，由于典型反铁磁体的响应频率处于THz频段，因而本文的研究对反铁磁材料在THz技术领域的应用探索出一个可能的新方向。主要结论如下：三明治结构可以有效的增强二次谐波输出功率，电介质层排序对二次谐波输出会产生明显影响，在三明治结构非镜像对称时出现了二次谐波生成的非倒易性，分析了反铁磁三明治结构产生非倒易性的原因。在SiO2/FeF2/ZrO2体系下，得到了SiO2层具有增透膜的性质，ZrO2具有增反膜的性质，此时非线性效应得到增强，如果将层序倒过来，这种效应变弱。同时，随反铁磁层厚度增加，二次谐波输出功率呈周期性振荡衰减，周期约为波长的二分之一。发现离子晶体可以进一步增加反铁磁三明治结构的二次谐波输出，SiO2/FeF2/TlBr体系的二次谐波输出功率是裸膜的近一千倍，是SiO2/FeF2/ZrO2体系的十倍，同时离子晶体TlBr具有增反膜的作用。如果用贵金属Au或Ag层作为结构的最下层，我们发现可以极大地增强三明治结构体系上方的二次谐波输出功率，尤其是SiO2/FeF2/Ag体系上方的二次谐波输出是SiO2/FeF2/ZrO2的五千倍，但存在入射角度较小时体系上方二次谐波输出弱的缺点。用离子晶体TlBr替换SiO2可以有效的改善SiO2/FeF2/Ag体系存在的在入射角度较小时体系上方二次谐波输出弱的缺点。