【摘 要】
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该论文选择这一材料体系作为研究内容,从基本的合成入手,重点就Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米团簇材料在介孔材料中的合成与性能表征进行了探讨.1、在合成出高质量的MCM-41材料和利用乙
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该论文选择这一材料体系作为研究内容,从基本的合成入手,重点就Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米团簇材料在介孔材料中的合成与性能表征进行了探讨.1、在合成出高质量的MCM-41材料和利用乙二胺基硅烷偶联剂对介孔材料进行功能化改性的基础上,将络合Cd<'2+>后的材料经过硫化处理,合成出纳米CdS团簇材料.该复合体系的吸收边蓝移效应非常显著,有机成分的存在大大增强了体系的主客体效应,使得材料的荧光发射光谱的强度得到很大的提高.2、经过表面改性的介孔材料,在化学吸附Zn<'2+>后,经过高温烧结除掉有机成分,则在介孔材料的孔道中合成出宽能带的半导体材料ZnO团簇,其粒径小于1.8nm.该体系不仅具有显著的尺寸量子效应,而且制备过程对材料的光谱行为有重要的影响:在还原气氛下得到的ZnO材料的发光性能得以极大的提高.这种方法也适用于其他过渡金属,如镍、铜和钴等氧化物团簇的制备.3、为克服制备不含有有机成分的CdSMCM-41材料的某些困难,利用上述两种方法成功地在介孔材料中合成出ZnS团簇材料,实验充分证明有机成分是体系具有强烈的主客体效应的主要因素.4、在利用液相移植反应组装TiO<,2>的过程中,发现能够通过多次移植将TiO<,2>进行有效的组装,这对于异质组分在介孔材料中的组装提供了线索.
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