Nd³⁺离子极易形成团簇,而以Nd³⁺-Nd³⁺对的团簇结构存在,Nd³⁺-Nd³⁺对之间强烈的非相干偶极-偶极相互作用导致严重的1.06μm荧光猝灭,为了避免荧光猝灭效应,通过共掺缓冲Y³⁺离子来提高材料的荧光强度。为了搞清共掺Y³⁺之后体系中发光中心的变化,本文研究了室温下光谱性能方面的变化,借助低温激发光谱、发射光谱、寿命以及时间分辨技术,研究了Nd,Y:SrF₂晶体材料中发光中心的变化趋势。采用TGT和坩埚下降法生长了的0.5at.%Nd,x at.%Y:SrF₂晶体,通过室温光谱的测试发现:由于共掺Y³⁺,吸收截面由1.17×10-20cm2最大增加到4.06×10-20cm2,提高了3.47倍;发射截面由0.22×10-20cm2最大增加到5.12×10-20cm2,提高了23倍;相对于钕玻璃,发射强度最大可以达到它的1.02倍。量子效率由11.3%增加到92.3%。光谱性能得到大幅度的提升。为探明性能提升的原因,研究了样品的低温时间分辨光谱,结果发现:对于掺杂浓度为0.5at.%Nd:SrF₂、0.5at.%Nd,1.5at.%Y:SrF₂和0.5at.%Nd,2.5at.%Y:SrF₂时,发光中心多元化,随着共掺Y³⁺离子浓度的增加,发光中心又从多个下降到0.5at%Nd,5at%Y:SrF₂的两个,当Y³⁺离子的浓度到达10%时,下降到了一个。在Nd³⁺离子浓度不变时,随着共掺Y³⁺离子的增加,Nd³⁺离子发光中心种类先增加后趋向单一。Nd,Y:SrF₂晶体发光中心的演变过程:由单掺Nd³⁺离子的多个中心向共掺Y³⁺离子后的单一中心转变。当趋于单一发光中心的时候,Nd,Y:SrF₂晶体材料的光谱性能最好。说明掺杂的Y³⁺离子打破了团簇,使得发光中心单一化,大大降低了荧光猝灭的影响。