GaN因其优异的光电性质和广泛的应用前景成为半导体的核心材料。氢化物气相外延(HVPE)方法因其超高的生长速率成为目前工业化生产优先选择的生长方法。本文主要以HVPE方法为研究方法,以环形进气口喷头为主要研究对象,考察该反应器模型在放大过程中的影响因素。本课题建立了GaN系统的流体力学模型,通过研究反应气体在反应室内浓度场与氮化镓的生长速率曲线来考察反应器放大的可行性。本文以GaCl管道直径、N2管道直径、扩散高度以及衬底直径为主要影响因素进行了优化实验。通过计算,我们得到三片机反应器模型的生长速率可以达到150μm/h,均匀度达到0.94,收率可以达到10%左右。在从三片机扩大到六片机的过程中,通过设置内嵌式氮气导气管成功消除反应器内部漩涡的影响。并通过对内嵌式氮气管直径、GaCl流量、内嵌式导气管N2流量、NH3流量与GaCl外侧氮气管流量的优化,使得六片机反应器模型的GaN生长速率到100μm/h,均匀度达到0.85,收率可以达到8%左右,基本达到生产需求。