ⅢA族单卤化物对半导体和光电材料的开发和激光介质的寻找起着十分重要的作用.但是目前,ⅢA族单卤化物在实验上所观测到的电子光谱还有很多谱带没有归属,有的结果还存在疑问,还有的受实验方法限制,光谱难以分辨.理论上,目前的研究大都集中在基态上,激发态研究的较少,因此对此系列分子电子态结构的了解还不清楚.该论文从实验和理论两个方面对ⅢA族单卤化物的电子态进行研究.主要工作有:1.观测InBr分子C<1>Π→X<1>Σ<+>跃迁的激光诱导荧光光谱,首次获得了C <1>Π态较为可靠的实验光谱常数.2.用各种量子化学理论方法(TDDFT,CCSD-LRT,MCQDPT,MR-CISD,MR-CISD+Q,MR-AQCC,等),首次研究了BBr,InCl,InBr和InI分子包括Rydberg态在内的电子激发态,获得了与实验值符合比较好的光谱常数,预测了跃迁特性.利用理论计算结果澄清和解决了一些前人实验结果存在的问题.此外对InH分子也进行了计算,获得了比前人更好的理论结果.