光伏发电是一种安全无污染、用之不竭的可再生新能源，被广泛认为是解决世界能源和环境问题的主要途径。我国光伏电池产业规模已经连续五年保持全球第一，但国内太阳电池研发起步较晚，技术基础及积累薄弱，极大地限制了我国光伏电池产业的进一步发展。我国光伏电池产业以生产晶体硅太阳电池为主，晶体硅太阳电池占据了世界光伏发电市场了85%以上的市场份额，因此开发产业化晶体硅太阳电池的相关研究具有重要的科学意义和应用价值。本文以制备高效低成本产业化晶体硅太阳电池为目标，研究了激光技术在晶体硅太阳电池制备中的相关应用，具体了内容如下：（1）多晶硅表面激光织构工艺研究。该工艺采用1064nm激光对多晶硅片表面进行刻蚀织构，辅以化学溶液腐蚀去除表面损伤层。经过优化激光参数和化学腐蚀参数获得了椎体凹-凸绒面结构，该结构具有非常好的陷光效果，表面平均反射率降低到8.0%（300-1100nm）。激光织构的一大缺陷是激光刻蚀时会引入大量的表面损伤，而化学腐蚀溶液很难将其完全去除，针对此问题，本文采用ALD沉积Al2O3钝化膜进行电学性质改性，获得了不错的效果。（2）激光自对准选择性发射极太阳电池制作。该工艺设计的初衷是解决选择性发射极太阳电池制作时前表面电极制作问题。工艺要点是在常规产业化丝网印刷晶体硅电池浅扩散工艺后，利用532nm激光在前表面进行扫描形成重掺杂，得到选择性发射极结构；然后采用常规丝网印刷工艺印制电极，电极与重掺杂线垂直相交，完美地解决了电极与重掺杂区域的对准问题。激光自对准选择性发射极工艺降低了电池的接触电阻，从而提高了电池的填充因子，该工艺对电池的效率提升具有非常明显的作用，相对常规浅扩散电池效率提高了~23.8%（从14.39%提高到17.74%）。