人们生活环境中常存在各种辐照源,例如卫生食品杀菌、医疗检验,以及操作电子透射显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）等特殊设备时,紫外线辐照、X射线辐照、电子束辐照等广泛存在。在外层空间,大量高能射线的存在使辐照更为普遍。在这些环境下,电子器件是否还能如常运作,以及人们能否发明出抗辐照的电子器件,皆是亟需探讨的科学和技术问题。其中电子束是常见的辐射源,而二维材料和器件是近年来材料与器件领域研究的热点。本文针对电子束辐照对二维材料和器件的性质影响展开一系列讨论。石墨烯（graphene）自发现以来便凭借着其独特且优异的性质在产学界引起广泛的关注,然而由于石墨烯本征零带隙的特点,大大限制了其在光电及场效应晶体管（FET）的应用,因此便兴起了另一种类石墨烯结构的二维半导体材料──过渡金属硫族化物（TMDCs）。二维材料垂直异质结的构建,大大拓宽了单一材料的性能短板,使得异质结具有更优异的光电特性,在光电组件、激光二极管与FET器件方面具有广阔的应用前景。然而,对于异质结在辐照环境下的性能演化,仍然缺乏系统和深入的研究。在本文中我们选用单层二硫化钼（MoS₂）来与石墨烯搭建异质结,利用电子束对MoS₂/石墨烯进行辐照,表征材料和器件在不同剂量时光、电学以及功函数上的变化,并与对单一材料和器件的辐照结果进行对比。我们发现利用异质结的堆垛可以阻碍单层二硫化钼（MoS₂）由于电子束辐照带来的性能衰退。通过在MoS₂与基底之间插入单层石墨烯,在同样剂量的电子束辐照轰击下,异质结区域的光致发光强度始终大于纯单层MoS₂;而且与纯单层区域明显的发光能量变化相比,MoS₂/石墨烯异质结区域的发光能量具有更佳的稳定性。我们将这个改善归因于石墨烯的屏蔽效应:单层石墨烯的存在抑制了基板对MoS₂的影响。同时我们也系统地揭示了电子束辐照对二硫化钼/石墨烯异质结的性质影响,如光学部分采用拉曼光谱进行分析,电学方面则通过测量样品的转移与输出特性曲线进行表征。总体而言,我们的研究工作不仅加深了人们对二维异质结的辐照效应的认知,同时也为新型抗辐射器件的设计开辟了新的途径。