当温度或者电源电压VDD发生变化时,带隙基准电压源的输出电压几乎不发生变化。这一优良的性能使带隙基准在很多电路模块中发挥着重要的作用。随着模拟集成电路的发展,如何设计出高性能的带隙基准受到了越来越多模拟工程师和学者的青睐。正是在这一背景下,本论文对高电源抑制比带隙基准电压源进行了研究。本文首先调研了带隙基准研究的意义和国内外在该方面的研究热点。然后分析了正负温度系数产生的基本原理、推导了带隙基准的环路增益以及确保环路稳定的条件、探讨了放大器失调电压对带隙基准输出电压精度产生的影响。本文所设计的带隙基准有三大特色:低输出电压、高电源抑制比和低温度漂移系数。该款带隙基准主要由四个不同的部分组成,分别是带隙基准的核心电路、放大器、预调节电路、启动电路。本论文对电路每部分的工作原理都进行分析并进行了数学推导,通过软件仿真的结果与要求指标进行对比。电路设计的难点在于预调节电路的设计以及如何保证电路在各个工艺角下依然满足指标的要求。本论文采用了电流求和模式的办法来达到输出为低压的目的,预调节电压的方法提高电源抑制比,并进行一定的温度补偿。通过对电路进行仿真发现:当VDD=3.3V,工艺角也不相同,仿真结果满足设计要求。以tt工艺角为例:输出为0.8V;电源抑制比是108.36d B@100Hz,72.33d B@10k Hz;温度漂移系数是2.65ppm/°C,响应时间是5.9μs。仿真结果满足设计要求。