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随着纳米技术的迅速发展,半导体纳米晶成为很有潜力的未来的光电材料。硅氧氮和硅碳氮薄膜均是三元薄膜,它们可调节的成分范围大且相组成复杂,在退火过程中硅氧氮和硅碳氮薄膜容易发生氮流失,生成硅单质和碳化硅。这将成为一种新型的制备纳米晶的方法。本文采用射频磁控溅射的方法,通过改变靶材以及氩气和氮气的流量比制备了一系列不同成分的硅氧氮和硅碳氮薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火。研究了薄膜的成分(EDS)变化,并进行了表面价态(XPS),表面键(FTIR),微观结构(TEM),发光性能(PL)分析。