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Ⅲ族氮化物以其具有宽广直接带隙的突出特点,成为开发短波长、高速度光电子器件最重要的半导体材料之一。随着氮化物技术口益成熟,留待解决或者尚未解决的问题就越发显得难度巨大。当前,光电子器件的主流结构,依然是以电学驱动和外延薄膜异质结来实现各种光电的功能性。从这个基本结构的角度来分析,衬底材料、外延层品质、电极材料就是器件三立的鼎足,成为最关键的研究课题。针对这三大基础问题,本论文的主要工作进行了包括GaN自支撑衬底、AlN异质薄膜外延生长、铜纳米丝透明欧姆电极三方面的研究,并取得重要的进展：一、