本文主要研究了溶液稳定性的影响因素，溶液纯度和生长速度对晶体质量的影响以及DKDP晶体生长的具体生长工艺。此外还介绍了DKDP晶体的电光性能，并研制了电光器件——普克尔盒。首先合成了DKDP晶体生长溶液，测定了合成溶液中部分杂质金属离子的含量，讨论了晶体生长溶液中杂质的可能来源和引入途径。研究了不同过滤处理、过饱和度和饱和点温度高低对溶液稳定性的影响，说明利用微孔滤膜进行超细过滤能够降低溶液中不溶性杂质的含量，从而降低溶液成核结晶概率。过饱和度越大、饱和点温度越高溶液的稳定性越差。采用Z向切点状籽晶（4mm×4mm×3mm）、溶液降温法、亚稳相快速生长了多块DKDP晶体，获得了生长DKDP晶体的具体工艺条件：在1000ml生长瓶中获得了降温速度为0.3-2℃/day、降温区间为43-23℃、pD=4.0-4.2、生长速度达3mm/day的点状籽晶生长优质DKDP晶体的生长条件；在2300ml生长瓶中获得了X、Y向生长速度达3.8 mm/day的点状籽晶生长尺寸为444448mm3的优质DKDP晶体生长条件。观察并分析了DKDP晶体生长微观机制，解释了DKDP 晶体的生长过程，观察籽晶恢复阶段的透明生长，并解释了该阶段生长的微观生长机制。并且从微观生长机制角度，分析了溶液纯度、生长速度、流体等因素对晶体质量的影响。发现在点状籽晶快速生长晶体时，溶液纯度对晶体质量影响比传统方法生长时更加显著。较高纯度的溶液不同速度生长出来的晶体，质量近似，所测得的参数大部分为：激光损伤阈值5GW/cm2（1064nm,12ns），半波电压4kV(632nm)，动态消光比为1600：1(632nm)。而低纯度溶液中晶体生长速度越快质量越差。利用生长出来的高质量 DKDP晶体，研制了电光器件普克尔<WP=4>(Pockel）盒。