【摘 要】
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在大气压下，较低温度下合成碳纳米管对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了利用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)的方法并利用该方法合成碳纳米管
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在大气压下，较低温度下合成碳纳米管对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了利用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)的方法并利用该方法合成碳纳米管。 实验中，在0.5个大气压下，700℃，通入甲烷和氢气的混合气体，产生DBD等离子体。衬底为硅片，催化剂是用磁控溅射制备的Ni／Al薄膜。在扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)下观察发现，碳纳米管的生长符合底端生长方式，并且没有竹节状结构。拉曼光谱仪(RS)分析表明，这种碳纳米管的缺陷比较多。这些结果表明，DBD方法合成碳纳米管与一般的等离子体方法有所不同，采用这种方法生长的碳纳米管更接近于热CVD方法，但是比通常的CVD方法有低得多的基片温度。 我们还观察了实验参数变化对于碳纳米管生长以及形貌的影响。
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