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随着科学技术的快速发展,各种电器设备均向小型化、集成化、便携式方向发展,传统的半导体器件越来越不能满足人们的需求,而利用电子自旋特性作为能量和信息载体的自旋电子器件具有极低的功耗损失、储能密度大、响应速度快等各种优良的特点,引起了国内外科学家广泛的关注和大量的研究。自旋泵浦-逆自旋霍尔效应作为近几年自旋电子学发现的新效应,研究它的影响因素对于制作自旋电子器件是很有帮助的。本论文就是利用自旋泵浦-逆自旋霍尔效应来作为自旋流的产生和检测手段,采用上下垂直翻转样品的方分离自旋整流电压VSRE和逆自旋霍尔电压VISHE。本论文首先研究了双层FM/NM铁磁性薄膜非磁性NM层厚度对自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的影响。NM层的厚度分别为2nm、4nm、6nm、8nm以及10nm,研究材料各种磁学参数以及分离出的自旋整流电压VSRE和逆自旋霍尔电压VISHE随着NM层厚度增加的变化趋势。研究发现随着NM层厚度的增加,铁磁共振线宽（35）H和铁磁共振场Hr都是呈现逐间增加的趋势,分离得到的自旋整流电压VSRE和逆自旋霍尔电压VISHE则是呈减小趋势,而通过公式得到的磁学参数阻尼系数?随着NM层厚度的增加从0.078增加到0.095,磁各向异性场Hk的绝对值会随着NM层厚度的增加从14.2Oe增加到28.6Oe,但饱和磁化强度Ms则是随着NM层厚度的增加从5106.3Gs减小到4818.8Gs。本论文重点研究了双层FM/NM铁磁性薄膜样品在不同温度下的自旋相关效应。测试温度从80K增加到420K,包含了低温和高温,研究发现在低温80K-300K区间内,材料各种参数随着温度的增加变化趋势不明显,基本为常数;在高温300K-420K温度范围内,各种参数随着温度的增加具有一定的规律,这说明低温对于自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的影响不大,高温会对自旋泵浦-逆自旋霍尔效应有一定的影响。研究发现双层FM/NM铁磁性薄膜样品在温度从300K增加到420K时,它的铁磁共振线宽（35）H和铁磁共振场Hr都是逐渐增大的,磁学参数阻尼系数?从0.067增加到0.071,而饱和磁化强度Ms和磁各向异性场Hk的绝对值随着温度的增加分别从4706.5Gs减小到4434.5Gs,21.5Oe减小到18.5Oe。本论文还研究了三层铁磁性薄膜Ta/NiFe/Ru样品温度对自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的影响,研究发现它与双层FM/NM铁磁性薄膜样品发现的温度规律特性类似。