随着脉冲功率技术向民用方向的发展,对其技术参数的要求也越来越高,如:高重复频率、ns量级上升沿、长寿命等等。传统的脉冲开关无法实现高频化,尽管半导体器件可以弥补此缺陷,但它的耐压以及通流能力有限。为了提高半导体器件的耐压、通流能力,常采用串并联的方式。在脉冲功率技术中,上升沿是一个很重要的指标。半导体的导通速度影响着波形的上升沿,而导通速度与驱动设计紧密相连,故半导体器件的驱动设计至关重要。半导体中以MOSFET的导通速度最快,本文研制了一种基于MOSFET串联的高频高压脉冲方波电源,该方波电源频率(10k~30kHz)及幅值(0~8kV)可调。　　本文介绍了可调高压直流电源的设计与MOSFET串联开关的设计,可调高压直流电源采用BOOST回路及串联谐振充电回路,高频变压器、脉冲变压器及谐振电感的设计则运用AP法。文章重点介绍了MOSFET串联组开关的设计,主要从器件选择、焊接摆放、驱动设计、均压设计四部分着手,其中MOSFET串联组开关的驱动设计最为关键,本文研制的驱动回路通过一个大功率MOSFET来控制16路脉冲变压器串联输出16路触发信号,去控制MOSFET串联组开关的导通与关断,大功率MOSFET通过TL1494给出频率可调的方波控制M57962L输出可调信号来实现自身的导通与关断。文章还详细介绍了MOSFET串联的静态与动态均压措施,并相应的给出相关参数。　　利用所研制的电源工作在14.8工况下,对17.1k的水电阻进行了放电实验,在其两端获得了上升沿为100ns左右的方波,且电源能够稳定运行。