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目前设计新型的室温单相多铁材料受到人们的极大关注,生长具有较强磁电耦合效应的室温单相多铁薄膜将顺应器件小型化和多功能化的发展趋势。我们设想通过把反铁磁基团LaFeO_3(LFO)插入到铁电体Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)基质中来合成室温单相多铁性材料,用sol-gel工艺成功生长了1.5LaFeO_3-Bi_4Ti_3O_(12)(1.5LFO-BTO)薄膜和LaFe_(1-x)Co_xO_3-Bi_4Ti_3O_(12)(LF_(1-x)C_x-BTO)薄膜。本文先讨论制备工艺对1.5LF