【摘 要】
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本论文采用标准四引线法和超导量子干涉仪(SQUID)对用脉冲激光沉积(PLD)法制备的MgB_2的C轴织构取向薄膜样品进行了电传输测量、直流磁测量和磁弛豫测量,研究了MgB_2超导薄膜样品的钉扎势(热激活能)、临界电流及磁通钉扎等性质。具体内容如下:1、通过研究MgB_2样品的ρ-T曲线展宽了解其钉扎势垒的相关特性,得到了钉扎势对磁场的依赖关系表达式U_0 ( B)∝b~p(1-b)~2。分析U_
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本论文采用标准四引线法和超导量子干涉仪(SQUID)对用脉冲激光沉积(PLD)法制备的MgB_2的C轴织构取向薄膜样品进行了电传输测量、直流磁测量和磁弛豫测量,研究了MgB_2超导薄膜样品的钉扎势(热激活能)、临界电流及磁通钉扎等性质。具体内容如下:1、通过研究MgB_2样品的ρ-T曲线展宽了解其钉扎势垒的相关特性,得到了钉扎势对磁场的依赖关系表达式U_0 ( B)∝b~p(1-b)~2。分析U_0(B)在低场区的幂函数形式,说明MgB_2在低场区为强钉扎中心样品。同时根据ρ
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