传统的电子元件都是利用了电子的电荷作为信息载体，却忽略了电子的另外一个重要的性质——自旋。基于自旋属性的自旋电子器件（如自旋阀、自旋场效应晶体管等）的实现需要具有高自旋极化率的材料注入到半导体中。半金属铁磁体是有完全的（100％）自旋极化率和较高的居里温度，是最佳的自旋极化注入源。但在实际的自旋电子学器件中，半金属材料的存在形式大都是具有一定厚度的薄膜，换句话说，在自旋电子学器件中真正使用的是半金属薄膜。因此，研究半金属铁磁体的表面性质及界面性质是非常重要的。　　 本文主要利用基于密度泛函理论的材料模拟软件Wien2k和CASTEP对闪锌矿结构的半金属铁磁体VSb的块材、（001）表面和VSb（001）/GaSb(001)界面的电子结构和磁性进行计算。　　 计算结果显示VSb自旋向上的电子的能带是金属性的，而自旋向下电子的能带在费米面附近有一个明显的能隙——1.30eV，从而得知VSb具有半金属铁磁性，具有100％的自旋极化率，并且还得到一个VSb分子的磁矩是 2。对闪锌矿结构VSb（001）表面的计算表明，由于表面态的存在，以Sb为端面的VSb（001）表面失去了半金属性；而以V为端面的VSb（001）表面保持了块材的半金属性，并且表面层、次表面层和第三层上的原子的态密度与块材的都很相似，另外，我们还发现从第四层向下原子的磁矩与块材的大体相等，而上三层原子的磁矩都发生了改变，比如表面层的V磁矩为2.87，比块材大了0.83。　　 另外，我们还对VSb（001）/GaSb（001）界面结构进行了计算，发现界面层和顶面层也都保持了很好的半金属性。与块材中的V原子和Sb原子的态密度相比，表面层原子的态密度在形貌和大小上都发生了较大的变化，但界面层和近邻界面层的原子态密度没有太大变化。这说明VSb和GaSb在界面处有很好的成键行为，这对未来的自旋电子器件的设计是很有利的。