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各种电子、光电子、传感器等纳米器件的研制是当前纳米科技领域的研究热点，而具有特殊光、电、催化等性能的纳/微米材料，特别是具有增强的光电功能的半导体及其异质结构材料是构建纳米器件的基础和关键。近些年，铅属纳米材料(PbS、PbSe)等因其具有特殊的物理和化学性质以及在纳米器件上的潜在应用，而被广泛的研究。硫化铅(PbS)是一种重要的半导体材料，它具有较大的激发波尔半径(18nm)和较小的能带间隙(0.41eV)。PbS的光学性质经常用于制造光学器件，例如红外太阳能光电板，红外LED，光学电池等。硒化铅(PbSe)是IV-VI主族的半导体材料，在电冷却器，红外线光电探测器，高温转换器，太阳能电池等纳米技术应用方面具有很大潜力。而复合结构的半导体材料中各个组分具有不同的介电常数和能带隙，当不同带隙的半导体材料复合时会产生新的电子能级和能带隙，形成新的电子-空穴复合中心，改变载流子的复合路径，从而展示更高、更强的功能特性。本文基于温和的化学溶液路线，借助于两亲聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的导向、配合等作用，研究了在铅基片上直接合成PbS和PbSe半导体材料及PbS/PbSe合金异质结构材料。在这里以升华硫粉和硒粉分别作硫源和硒源，而铅基片既作为反应基底又提供铅源。同时，我们考察了溶剂的种类、表面活性剂的种类对基片上生长PbS和PbSe半导体材料形貌的影响。为了研究PbS和PbSe半导体材料的形成过程，对反应时间和反应温度等影响因素进行了探究。采用多种分析测试手段，对产物的形貌、组成及结构进行了系统的表征。最后通过室温发射光谱(PL)的测定，研究了在水合肼作为溶剂时合成的PbS,PbSe和PbS/PbSe合金异质结构的发光性质。