本论文采用电化学腐蚀法制备多孔硅，通过浸泡液分离多孔层后，在表面形成丰富的SiOx包裹纳米硅线和纳米孔，测量了它们室温下的光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱，采用SEM、TEM、AFM、XPS、FTIR对样品表面的结构和组分进行了表征。 在250nm波长光的激发下，分离多孔层后PL谱强度相对分离前约有10倍的增幅，峰位主要在蓝紫光范围内。经干氧退火后，发光强度随退火温度升高而增强，峰位不变；在样品表面镀上半透明Au膜后制备出电致发光器件，在正向偏压下样品可以长时间稳定的发出绿光(510nm)，并且随着偏压的升高，强度升高，峰位不变，在剥离多孔层后的样品采用双离子束溅射法在表面镀一层碳膜后制备的电致发光器件，相对于未镀碳膜的样品具有更强、更稳定的发光。 结合SEM、AFM、TEM、XPS、FTIR的结果对分离多孔层后样品的PL和EL变化进行分析后认为，分离前纳米多孔层结构的脆弱和内部成分不稳定使得多孔硅发光峰位和强度不稳定，而分离多孔层后表面形成结构和成分均很稳定的SiOx包裹纳米硅线和纳米孔，使得发光强度和稳定性都有很大的提高。用量子限制一发光中心模型等讨论了有关的发光机制。对新型硅基发光材料进行了探索。