最近,对非磁性元素掺杂稀磁半导体的研究逐渐引起人们的关注,从而避免了稀土元素或过渡元素作为掺杂的稀磁半导体磁性来源的问题。在本论文中,我们制备非磁性元素(K,Mg,Y)掺杂SnO2纳米晶颗粒,对不同的非磁性元素掺杂SnO2的结构和室温铁磁性来做了一定的研究,同时基于密度泛函理论的第一性原理研究了非磁性元素(K,Mg)的掺杂SnO2的电子结构和磁学性能,对我们实验的结果进行了理论解释。我们同时研究了铁磁性粉末的绝缘包覆技术,这种包覆技术不仅能有效的降低高频涡流损耗,而且结合粉末冶金技术的生产优势,将在很广泛的领域中得到应用。在本论文中,来研究不同的热处理以及不同浓度的磷酸处理对磁粉芯密度、微观结构、电阻以及电阻的频率稳定性的影响。本论文研究的内容以及结果如下：1).我们用X射线衍射和扫描电子显微镜对样品的相结构和微观结构做了分析,所有的样品都是四方金红石结构,同时X射线图中没有测量出与掺杂元素有关的杂相。样品的X射线主峰伴随掺杂量的增加而变低,伴随退火温度的提高而增强,真空退火处理降低了主峰的强度。样品的平均颗粒大小伴随着掺杂量的增加而降低,随退火温度的升高而增大。2).我们得到的非磁性元素(K, Mg, Y)掺杂SnO2纳米晶颗粒都具有室温铁磁性,样品的室温铁磁性伴随掺杂量的增加而提高,伴随退火温度的提高而降低,每个掺杂原子的平均有效磁矩伴随掺杂量提高而降低。第一性原理计算的结果表明：K、Mg掺杂SnO2体系的磁性来源于掺杂原子周围氧原子的未配对电子,在K掺杂SnO2体系中氧空位的存在使得掺杂原子更容易替代Sn,在高浓度Mg掺杂SnO2体系中,我们发现由于掺杂而引起的缺陷之间存在铁磁耦合和反铁磁耦合,所以伴随掺杂浓度的提高每个掺杂原子的平均有效磁矩降低。伴随退火温度的提高,纳米晶颗粒的平均大小变大,样品的室温铁磁性降低。3).对铁粉进行了磷酸包覆绝缘处理得到的磁粉芯,研究发现：高浓度的磷酸包覆磁粉芯的密度比较低,；高浓度磷酸处理铁粉得到的磁粉芯的XRD谱图有一定量的Fe(PO4)n的相结构,铁粉与铁粉之间有一定厚度的磷酸盐层；退火温度对磁粉芯的电阻的变化有影响,当样品经过大于650℃退火温度时,磁粉芯的电阻大大地降低。不同磷酸包覆铁粉电阻率的研究比较,伴随磷酸与铁粉质量比的增加,磁粉芯的电阻有明显地提高。