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为了更深入地了解电子俘获光存储材料的光学性质、电子俘获机制,进一步提高它们的光存储性能,我们研究了一些电子俘获材料的光存储性质及其电子陷阱的形成和俘获机理.其中着重讨论了BaFCl:Eu<2+>光激励发光材料的光致荧光性质,材料中缺陷的性质和相应的光存储机制.
电子俘获光存储材料的性质及一些机理问题的研究
【摘 要】
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为了更深入地了解电子俘获光存储材料的光学性质、电子俘获机制,进一步提高它们的光存储性能,我们研究了一些电子俘获材料的光存储性质及其电子陷阱的形成和俘获机理.其中着
【机 构】
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北京交通大学
【出 处】
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北方交通大学 北京交通大学
【发表日期】
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2003年期
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