由于集成电路行业的快速发展,离子注入由于其工艺比较干净,控制非常精准,迅速得到了广泛的应用。随着制造工艺水平越来越先进,离子注入渐渐在整个工艺当中起到非常重要的作用,现今工艺对注入量、注入深度、注入角度以及注入杂质在多晶硅中的分布状况的要求已经今非昔比了,它不再是某种离子在某个深度注入了一定剂量这样简单的一句话概括的了。本论文主要研究的是离子注入机在精线宽以及超浅结的工艺中,所应具备的功能。工艺从微米到纳米,由于线宽的越来越小,多晶硅越来越薄,注入深度越来越浅,所以杂质的热扩散对工艺的电性影响越来越大。通过条状束流代替传统的点束流、精确的角度控制系统以及采用不同能量模式的能量加减速,我们可以实现高效且精确的低能离子注入,并通过制成温度控制系统,极大程度的减小了杂质在离子注入时由于受热而产生的热扩散效应。这篇论文主要结合先进国内的主流工艺(45nm),通过机台性能及产品电性参数的对比,阐述先进离子注入机在先进工艺中所占有的地位。随着工艺越来越先进,在45nm及其更先进的工艺,离子注入将越来越重要,高性能的离子注入机将会得到更加广阔的用武之地。