【摘 要】
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生长晶体在发展高新技术和基础理论研究方面都有非常重要的意义,在国民经济可持续发展和国防建设中具有广泛而重要的应用。本文选择掺铁TiO2为研究对象,采用国外最新技术研制
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生长晶体在发展高新技术和基础理论研究方面都有非常重要的意义,在国民经济可持续发展和国防建设中具有广泛而重要的应用。本文选择掺铁TiO2为研究对象,采用国外最新技术研制的4椭球反射腔式红外聚焦单晶炉（FZ - T - 10000 - H - VI - VP）,通过光浮区法对其进行晶体生长的实验研究。实验结果表明,随着Fe掺杂量的逐渐增加,生长时熔区可以稳定的时间逐渐缩短,生长的晶体尺寸越来越小;掺杂量通过改变熔点和液相均匀性直接影响到晶体生长时的熔区稳定和生长样品的取向结晶。同时针对光浮区法生长LaCoO3晶体过程中发现Co过量对生长有显著影响的问题,通过固相合成法研究Co过量和烧结时间对LaCoO3初始粉体相结构的影响,探索生长过程中的一些关键问题,获得了一些非常有实用价值的结果。
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