近些年,显示行业的高速发展使得薄膜晶体管技术引起了众多研究者的注意。而氧化物薄膜晶体管由于其优良的电学性能及光学性能而被广泛应用于高分辨率有源矩阵液晶显示、大面积存储单元以及传感器。相对于传统的真空法制备技术,使用溶液法制备氧化物薄膜晶体管具有低成本可大面积制备的优势使得众多研究者对其展开了大量的研究。然而,目前的研究主要是采用旋涂这种方式进行单器件的制备进行实验室阶段的研究,商业化应用上则更需要图案化的薄膜晶体管阵列。喷墨打印作为一种新型的薄膜制备技术,具有无需昂贵的掩膜版可直接图案化形成高分辨率阵列的优势,相对于传统的薄膜晶体管制备技术展现出巨大的潜力。因此,开展对溶液法氧化物薄膜晶体管的喷墨打印研究工作具有重大的意义。本文将利用喷墨打印技术制备氧化物薄膜晶体管,从墨水配方和打印工艺的角度研究喷墨打印薄膜的形貌及电学性能,具体研究内容包含以下几个方面:1、采用喷墨打印技术研究不同表面处理以及不同温度的基板对于打印薄膜质量的影响,通过台阶仪和偏光显微镜观察打印薄膜的形貌,在此基础上,通过调节打印过程中的点间距和印刷速度,继而获得了适合印刷的工艺参数并研究了薄膜的咖啡环现象,结果表明合适的工艺参数有利于印刷薄膜形貌不均匀性的改善。2、针对薄膜中的不均匀问题,我们采用了聚合物掺杂的方法对薄膜的不均匀性问题进行研究。通过改变掺杂聚合物的分子量研究器件形貌和性能的变化,结果表明,掺杂合适分子量的聚合物改善了喷墨打印图案的不均匀现象,抑制了薄膜的咖啡环现象。和未掺杂的墨水相比,该分子量的聚合物掺杂有利于薄膜M-O网络的形成和结晶的抑制,器件迁移率从4.2 cm2V-ls-1提升至13.7 cm2V-1s-1。3、在聚合物掺杂优化图案均匀性改善器件晶体管性能的基础上,进一步设计新型兼容印刷工艺的垂直结构薄膜晶体管,通过机理分析和结构设计,采用旋涂工艺制备了网状电极,并结合薄膜打印工艺实现了垂直结构薄膜晶体管矩阵的制备,实验结果表明,栅极电场通过网状电极可以实现对有源层开启和关断的调控,器件可以正常工作,在开启时其电流密度最高可达llmA/cm2,适用于需要高电流密度的AMOLED显示技术,其开关能力仍有较大的提升空间。