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随着电路PCB板微型化程度越来越高,电子产品面临的电磁干扰问题日益严峻。电子产品中的辐射源种类较多且辐射噪声生成机理复杂,而铁氧体磁珠作为一种安装方便的元件,研究其特性和应用对抑制辐射电磁干扰意义重大。本文以磁珠在高频时的阻抗特性为研究对象,建立磁珠等效电路模型,提取模型等效参数,探究磁珠高频非理想特性,结合磁珠抑制辐射EMI的机理对其提出了补偿方法,最后结合实验验证了补偿后磁珠抑制效果的改善,具体内容如下:(1)基于磁珠抑制辐射EMI机理研究,建立磁珠高频特性电路模型并提取模型等效参数。首先,结合磁珠抑制辐射电磁干扰的原理和阻抗的定义对磁珠阻抗进行高频特性建模,推导出磁珠阻抗计算公式;其次,详细分析了最小二乘法中的列文伯格-马夸尔特法,并将其运用于磁珠阻抗的参数提取;接着,由于列文伯格-马夸尔特迭代步长与初始值不易选择,因此又运用遗传算法提取了模型等效参数,两种算法的拟合结果均与磁珠实际阻抗接近,验证了模型的正确性;最后,对比了上述两种算法拟合结果的精度和速度。(2)提出磁珠高频非理想特性的补偿方法并进行仿真分析,探究磁珠阻抗提取实验。首先,基于建立的磁珠高频等效电路,分析磁珠非理想特性,并设计了补偿方法,推导出磁珠补偿后的阻抗计算公式;其次,为了比较不同补偿方法的效果,运用PSIM和MATLAB软件对补偿方法进行仿真,得出磁珠补偿后的电路辐射EMI图谱,通过对比得出了有效补偿方法;最后,搭建硬件和软件实验平台,运用矢量网络分析仪对补偿前后的磁珠进行了阻抗提取实验。(3)将本文提出的磁珠补偿方法应用在抑制开关电源辐射EMI上。分析了开关电源原理及其产生辐射EMI机理,运用PSIM和MATLAB软件及3m法半电波暗室分别对磁珠补偿前后的开关电源产生的辐射EMI进行仿真和实验分析,验证了实验中所用的补偿方法在应用中的有效性与实用性,为磁珠在辐射电磁干扰中的应用提供了理论参考和实践依据。