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目的:1.探讨极低频电磁场对C6胶质瘤细胞生长增殖的影响。2.通过建立荷瘤大鼠胶质瘤模型,探讨极低频电磁场暴露对大鼠脑内胶质细胞瘤的影响,为胶质瘤的实验性治疗提供理论依据。方法:1.体外培养C6胶质瘤细胞,分为实验组和对照组两组,实验组将细胞置于极低频电磁场,频率为40HZ,强度为2.6mT,对照组不暴露于磁场,实验组于磁场作用后24h、48h、72h分别留取标本,用MTT法测定肿瘤生存率,描绘生长曲线,并在光镜下观察肿瘤细胞生长状态,并与对照组相比较。2.将1×10~8/ml的C6细胞悬液10ul注入大鼠颅内,建立大鼠胶质瘤动物模型,随机分成实验组、对照组,每组15只,三天后实验组每天于磁场中暴露3小时,连续一周,对照组不暴露于磁场,每天不定时观察大鼠精神、神经功能(偏瘫情况)、存活期以及对死亡大鼠的尸体解剖病理切片进行分析。结果:1.MTT法的实验结果显示:40赫兹2.6mT极低频电磁场暴露下C6胶质瘤细胞的生长在磁场暴露时间较长时发生轻度抑制现象,而相对短时间的极低频电磁场暴露对肿瘤细胞无明显的影响。仅3h/d实验组对照组之间经MTT检测发现明显差异。显微镜下观察C6胶质瘤细胞的生长状态未能见异常。2.实验组从接种肿瘤后17到28天全部死亡,平均存活22天,对照组长期存活,组间有显著差异(P＜0.05),实验组死亡大鼠解剖发现颅内肿瘤生长明显,病理切片证实为C6胶质瘤,肿瘤接种成功率100%。3.对照组从接种肿瘤后16到27天全部死亡,平均存活22天,实验组从接种肿瘤后21到33天全部死亡,平均存活26天,组间有显著差异(P＜0.05),实验组以及对照组死亡大鼠解剖均发现颅内肿瘤生长明显,但病理切片并未能证实实验组与对照组胶质瘤有形态学差异。结论:1.本实验条件下短时间的40赫兹2.6mT极低频电磁场暴露对C6胶质瘤细胞生长无明显影响,而当暴露时间达到一定限度则抑制肿瘤生长。2.C6细胞培养增殖后注射10ul浓度1×10~8/ml入大鼠颅内建立模型可靠稳定,可以作为下一步实验的模型。3.极低频电磁场暴露可以延长荷瘤大鼠生存时间,但是并不能治愈胶质细胞瘤,提示低强度的极低频电磁场短时间的暴露对胶质瘤患者是无毒性也无治疗作用的,而长时间低强度的极低频电磁场暴露可能对胶质瘤患者有治疗作用。