随着5G、人工智能、物联网的兴起,信息量的增长激发了人们对高性能存储器的需求。铁电存储器由于其高存储密度、高读写速度、低功耗、抗辐射、非挥发性等优势得到了人们广泛的关注和应用。但是传统的铁电材料由于自身的弊端限制了存储器进一步的发展,所以研发一种新型的铁电材料势在必行。自2011年,首次发现掺杂的氧化铪薄膜具有铁电性能之后,该类材料就迅速得到了广泛的关注。目前,人们认为氧化铪的铁电性来源于其中的正交铁电相（Pca21）,但是该相在常温常压下为亚稳相而不能稳定存在。然而,人们对于如何稳定该类正交铁电相,并实现对氧化铪薄膜的铁电性调控,还没有形成统一的认识。近年来,人们发现衬底与氧化铪薄膜之间的界面对其铁电性能有着显著影响。薄膜和衬底之间的种子层,如氧化锆籽晶层,被证明是实现界面调控的有效途径。然而,由衬底或种子层对氧化铪基薄膜铁电性能的界面调控微观机制仍不清楚。因此,本文通过第一性原理计算的方法,系统地研究了氧化锆种子层对氧化铪薄膜的相稳定性和极化性能的影响和调控机理。得到了以下几点结论:（1）通过第一性原理的计算方法,计算了氧化铪薄膜各相在<001>和<111>两类取向下的相稳定性。我们发现,在<001>取向下,表面分别为铪终端、氧终端及铪氧终端的氧化铪薄膜的铁电相与单斜相之间的能量差分别为:0.50 e V、0.20e V以及0.15-0.20 e V。这表明氧终端和铪氧终端表面结构对于铁电相的稳定是有利的。四个不同的<111>取向铁电相薄膜,具有相同的相稳定性,与单斜相之间的能量差为0.63-0.67 e V,这意味着,仅通过尺寸效应的影响,很难使沿<111>取向的氧化铪铁电相成为稳定相,需要采用其它的调控方法来促进其稳定性。（2）研究了氧化锆种子层对氧化铪相稳定性和择优取向的影响机理。结果表明引入[001]取向氧化锆种子层对氧化铪薄膜铁电相的稳定性没有明显的作用。而[100]取向氧化锆种子层的引入有利于氧化铪铁电相的稳定,同时随着氧化铪厚度的减小,铁电相越来越稳定。而在[111]取向氧化锆种子层调控作用下,铁电相与单斜相之间的能量差为仅0.03-0.05 e V,而且铁电相在不同厚度下都保持较好的稳定性。我们还通过波恩有效电荷和NEB方法分别计算了<111>取向氧化铪铁电相的极化值和翻转势垒。结果表明,其铁电极化强度与实验符合较好,同时其极化翻转势垒得到了有效地降低,即可以通过引入种子层减小氧化铪基铁电薄膜的矫顽场。