微波介质陶瓷是应用于微波频段（300 MHz-300 GHz）电路中作为介质材料并完成多种功能的陶瓷。随着现代微波移动通讯技术的快速发展,微波介质陶瓷已经成为近年来国内外电介质材料研究领域的热点方向。本文采用传统固相法制备了高性能的锂基微波介质陶瓷Li₂Mg₃BO₆（B=Zr,Sn）,并通过气氛控制烧结、非化学计量,加入烧结助剂和形成复相等方法对Li₂Mg₃BO₆（B=Zr,Sn）进行烧结和性能优化。通过XRD,SEM,EDS及矢量网络分析仪系统地研究了制备工艺、相结构、微观形貌等对微波介电性能的影响。本论文的主要研究工作如下:在论文第一部分,利用非化学计量法成功制得Li₂Mg₃ZrO₆陶瓷纯相,并借助富锂气氛控制烧结工艺抑制了Li_2（1+x）Mg₃ZrO₆陶瓷烧结过程中锂的挥发和第二相的产生,促进了液相生成,降低了烧结温度。XRD和Rietveld精修结果以及SEM结果表明陶瓷中杂相量明显减少,微观形貌更加致密。最终获得了Q×f值为150000GHz-300000 GHz（@9.84-9.88GHz）的微波介质陶瓷。当x=0.06的样品在1275 ℃烧结6 h时,可获得最优微波介电性能:εr=12.8,Q×f=307319 GHz（@9.88 GHz）,τ_f=-35 ppm/°C。凭借理想的微波介电性能,这种具有超低损耗的Li₂Mg₃BO₆（B=Zr,Sn）陶瓷经过进一步改性有可能会成为适用于低温共烧陶瓷技术（LTCC）的陶瓷材料。在论文第二部分,研究了烧结助剂LiF对Li₂Mg₃SnO₆陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响,制备出具有优异微波介电性能的Li₂Mg₃SnO_6-x wt.%LiF陶瓷。实验结果表明,烧结助剂LiF能成功在烧结过程中引入液相烧结机制,降低烧结温度,优化Li₂Mg₃SnO₆陶瓷的烧结工艺和微观形貌。XRD结果表明,在875 ℃-1100℃范围内,Li₂Mg₃SnO₆陶瓷为纯的立方结构陶瓷;当温度低于850 ℃时,会发生Li₂Mg₃SnO₆到Li4MgSn2O7的相结构转变;当温度高于1150 ℃时,陶瓷中有Mg2SnO4杂相产生。通过添加2-4 wt.%LiF烧结助剂,在875 ℃-1100 ℃烧结6 h可得到er=11-12,Q×f=120000-240000 GHz（@9.99-11.60 GHz）,τ_f⁴0 ppm/℃的纯相Li₂Mg₃SnO₆微波介质陶瓷。当烧结温度为1150 ℃时,x=2的样品具有最优微波介电性能:er=10.7,Q×f=330461 GHz（@10.40 GHz）,τ_f=-42 ppm/℃。当烧结温度为875 ℃时,x=4组成具有优异的微波介电性能:er=11.6,Q×f=155424 GHz（@9.98 GHz）,tf=-35.5 ppm/℃,证明Li₂Mg₃SnO₆微波介质陶瓷在LTCC技术方面应用潜力很大。最后,通过将Ba₃（VO₄）₂与Li₂Mg₃SnO₆-3 wt.%LiF形成复相陶瓷调节了基体Li₂Mg₃SnO₆-3 wt.%Li F的温度系数τ_f。XRD、SEM及EDS分析结果表明Ba₃（VO₄）₂与Li₂Mg₃SnO₆在陶瓷中以复相形式均匀分布,晶界明显,微观结构均匀致密,且可与银共烧。Ba₃（VO₄）₂一定程度上恶化了基体的品质因数,但是能有效调节基体的温度系数,提高材料致密度,降低基体的烧结温度。在设计组成范围内陶瓷的τ_f近零并可通过改变Ba₃（VO₄）₂含量实现微调。复相陶瓷具有优异的微波介电性能:e_r=12.6–13,Q×f=79761-99230 GHz（@12.67-12.94GHz）,适用于LTCC技术,性能优势明显,是具有潜在应用价值的微波介质陶瓷。