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JBS肖特基整流管由于具有高击穿电压、低漏电流、低正向压降及抗浪涌电流强等优点,在移动通讯、电源及高频大功率电子电路中有着广泛的应用。恒流二极管(CRD)由于价格便宜、恒流性能优良、使用方便等优势,是构成各种电子设备的恒流源、保护电路的重要组成部分。近年来,随着发光二极管(LED)产业的飞速发展,越来越多的使用者将JBS肖特基整流管与CRD应用于LED供电线路中,使二者同时也得到快速发展,本论文对二者分别进行了相应的研究,主要开展的工作如下:1、设计并成功制备了一种20A/600V硅基JBS肖特基整流管。有源区采用了蜂窝状分布结构,边缘采用了场限环、TEOS-BPSG、多晶硅和SiO2复合型终端结构,经过测试发现,在正向压降不大于1.5V的情况下,正向电流可达到20A;反向击穿电压(在反向漏电流不大于100μA情况下)可达到600V。并对其温度特性进行了研究,结果表明:随着环境温度的升高,器件的正向压降不断降低;反向击穿电压不断增高,反向泄漏电流也逐渐增大。2、设计了一种40mA/120V硅基垂直沟道环形分布扩散结恒流二极管。有源区设计为P+环相间分布的形式,终端采用了场限环结构。通过Atlas数值仿真工具对恒流二极管的P+扩散区间距、扩散结深等参数进行了相应的数值模拟,并对器件的温度特性进行了研究。通过初步的工艺制备并测试发现,器件未达到预期的恒流目标。经过数值仿真及理论分析,发现造成器件性能较差的原因主要是P+扩散区结深不够及P+扩散区形貌分布不佳,使得沟道长宽比不能满足缓变沟道近似(GCA)基本原理。据此,提出了进一步改进工艺的措施,即利用扩散及离子注入形成P+扩散区工艺,在尽量减小横向扩散的基础上得到较深的P+扩散结深,且要达到沟道长宽比大于4:1;并提出和设计了一种新的基于金属-半导体肖特基接触的沟槽纵向恒流二极管结构。