PLZT透明电光陶瓷具有优异的电光性能,但较大的铁电滞后效应增加了电控光学器件的设计难度,由此限制了该材料的进一步应用。为了解决这一问题,本研究以Pb_0.91La_0.09(Zr_0.65Ti_0.35)_0.9775O₃（即PLZT（9/65/35））为基本组分,分别选用Ba²⁺、Nb⁵⁺两种元素对PLZT陶瓷ABO₃钙钛矿结构进行A、B位微量掺杂,利用固相反应和通氧热压烧结工艺制备陶瓷材料,探究目标元素的掺杂对PLZT电光陶瓷介电性能、透过率、晶粒大小、相结构等的影响,并重点研究陶瓷样品铁电、电光性能的变化规律。其大致结果如下:（1）在Ba²⁺掺杂改性PLZT(Pb_0.91-xBa_xLa_0.09(Zr_0.65Ti_0.35)_0.9775O₃)电光陶瓷的研究中,发现随Ba²⁺掺杂量的增加（x=0,0.01,0.02,0.04）,PLZT陶瓷样品的矫顽场强、剩余极化值显著下降。当x=0.02时,PLZT陶瓷样品的剩余极化值呈现出最大下降量?135.4%,尽管此时样品的二次电光系数有少量降低（?43.9%）,但仍然在适用范围内。PLZT陶瓷样品的弛豫相变温度T_m则随着Ba²⁺掺杂量的增加快速减小。（2）在Nb⁵⁺掺杂改性PLZT(Pb_0.91La_0.09(Zr_0.65Ti_0.35)_0.9775-5y/4Nb_yO₃)电光陶瓷的研究中,发现随Nb⁵⁺掺杂量的增加（y=0,0.005,0.010,0.015）,陶瓷样品的铁电滞后显著减小。当y=0.010时,虽然PLZT陶瓷样品的二次电光系数下降?54.8%,但铁电滞后降低了?162.5%。（3）在Ba²⁺/Nb⁵⁺共掺改性PLZT(Pb_0.91-xLa_0.09Ba_x(Zr_0.65Ti_0.35)_0.9775-5y/4Nb_yO₃)电光陶瓷的研究中,发现随总的离子掺杂量增加,陶瓷样品的铁电回线明显细化,滞后效应大幅度降低。其中,当Ba²⁺掺杂量较小时（x=0,0.01,0.02）,共掺较单独掺杂对铁电滞后的减小更为有效;当Ba²⁺掺杂量较大时（x=0.04）,Nb⁵⁺的共掺杂对于铁电滞后减小的作用不明显,但陶瓷样品的弥散相变温度T_m提高,有利于样品温度稳定性的提高。总之,研究结果表明Ba²⁺、Nb⁵⁺离子微量掺杂对于减小PLZT（9/65/35）电光陶瓷的铁电滞后效应具有显著作用,两种离子共掺杂除上述作用外还有利于改善该陶瓷材料的热稳定性,具有更好的应用价值。