InAs/GaSb超晶格材料因具有特殊的错开型能带结构，使其在红外探测方面有着广泛的应用前景，是目前国际上该领域的研究热点。与传统的红外探测材料相比，InAs/GaSb超晶格材料同时具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低、吸收系数高等优点，是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料。目前该类超晶格材料大多用MBE生长，MOCVD生长的报道比较少，而众所周知，MOCVD生长在大面积高产量方面具有一定优势，因而本论文开展了InAs/GaSbⅡ型超晶格材料的MOCVD生长特性的研究，内容主要集中在界面设计、材料制备、测试分析方面，取得了以下重要成果：　　1.针对MOCVD生长温度高的特性，提出了新型混合界面，明显提高了材料质量。MBE生长InAs/GaSbⅡ型超晶格取得成功的关键是引入InSb-like界面实现了超晶格租GaSb衬底的应变补偿，但是InSb-like界而在MOCVD较高生长温度下不稳定，使样品形成很多纳米孔洞，结晶质量严重下降，本文提出在InAs和GaSb之间引入一个As和Sb的阴离子混合平面，既能适应MOCVD的生长环境，又起到应变补偿的作用，有效改善样品的表面形貌和结晶质量。　　2.研究了超晶格生长的温度特性，发现与MOCVD生长GaAs时宽的温度窗口不同，InAs/GaSbⅡ型超晶格的MOCVD生长温度窗口非常窄，仅仅20℃的偏差对材料质量影响就非常大，具体地，在我们的MOCVD生长系统中，超晶格的最佳生长温度是520℃，降低20℃不利于GaSb层的结晶，造成了超晶格中存在较多的缺陷，而升高20℃会加大超晶格界面中的As含量，不利于对超晶格进行应变补偿，两种情况都会造成超晶格和GaSb衬底之间存在较大的晶格失配。　　3.提出了新的界面控制方式形成三元合金界面，使超晶格质量明显提高。具体地，采用常规生长三元合金的方法，即按比例同时引入As和Sb源的方法，生长出的超晶格样品表现出界面组分不均匀，造成超晶格与GaSb衬底晶格失配达-0.4％，我们通过优化，采用As原子和Sb原子在生长表面置换的方式，得到了组分均匀的界面和高质量的InAs/GaSb超晶格样品，晶格失配减小到+0.18％。　　4.在晶格大失配GaAs衬底上生长出InAs/GaSb超晶格，首先必须外延高质量的GaSb缓冲层，本文在文献上两步法的基础上，引入短暂的高温退火，有效的提高了缓冲层的质量，获得的材料质量接近晶格匹配的GaSb衬底的结果。采用了半绝缘GaAs衬底，详细研究了样品的输运特性，变温Hall测试表明在特定温度Tc处样品的导电类型发生转变，低温表现为p型，高温表现为n型特征，超晶格中InAs层越厚，导电类型的转变温度Tc越低。对电导率-温度关系拟合得到空穴激活能和电子激活能，发现空穴位于浅受主能级，而电子位于深能级，证实了理论预言。对迁移率与温度的关系进行数值拟合，发现样品中除了存在声子散射和离化杂质散射外，还存在界面粗糙度散射。最后，GaAs上外延的超晶格样品室温电子迁移率可达9200cm2/V.s(260K)，与文献报道的MBE生长的类似结构样品的迁移率非常接近。　　5.生长了不同InAs和GaSb层厚的超晶格样品，实现了2-5μm中红外波段的室温吸收，吸收系数达到2000-3000cm-1，基本达到文献报道MBE生长的同波段超晶格的水平。