【摘 要】
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具有叉指背接触异质结(IBC-SHJ)结构的单结晶体硅(c-Si)太阳电池具有叉指背接触结构(IBC)和异质结(HIT)结构这两种电池的优点,可以获得较高的短路电流密度和较高的开路电压,目前其光电转换效率(PCE)已经达到了26.6%。然而,在c-Si衬底的背表面上沉积叉指p型和n型非晶硅(a-Si:H)层需要复杂的制备工艺,以及掺杂a-Si:H层本身固有的光电损耗阻碍了电池转换效率的进一步提升。
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具有叉指背接触异质结(IBC-SHJ)结构的单结晶体硅(c-Si)太阳电池具有叉指背接触结构(IBC)和异质结(HIT)结构这两种电池的优点,可以获得较高的短路电流密度和较高的开路电压,目前其光电转换效率(PCE)已经达到了26.6%。然而,在c-Si衬底的背表面上沉积叉指p型和n型非晶硅(a-Si:H)层需要复杂的制备工艺,以及掺杂a-Si:H层本身固有的光电损耗阻碍了电池转换效率的进一步提升。由于这些问题的存在促使人们寻求一些可替代的新型功能材料以及简单的沉积工艺。非掺杂异质结技术,通过材料自身
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