本文提出了一种新结构的IGBT，命名为低功耗IGBT（LPL-IGBT）。它的设计基于这样一种思路：保留NPT-IGBT在n~-单晶衬底上制造、离子注入形成超薄且轻掺杂的背p~+发射区的特点，从而保留了NPT-IGBT的性能优点；同时在耐压层中引入n~+缓冲层，大大减薄n~-耐压层厚度以降低功率损耗。它的制作方法如下：对n~-单晶硅片进行双面深结扩散，然后去除其中一面扩散层并在n~-上制作MOSFET结构，再减薄另一面的扩散层，得到一定厚度的预扩散层的残留层，然后硼注入制作背p~+发射区并制作背面电极。与FSIGBT相比，LPL-IGBT的n~+缓冲层厚度达几十微米，不存在耐压和漏电流不易保证的缺点，因而更适合实际生产。计算机仿真显示，LPL-IGBT的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT减小一倍左右，实验的初步结果一定程度上证实了LPL-IGBT在功耗性能上的优越性。