目前全球电池组件商业化生产还是以硅太阳能电池为主,它以其绝对优势仍然处于主导地位。随着光伏行业的快速发展,对电池的质量要求越来越高。而电池中的一些缺陷,不但导致电池效率降低,还会对电池质量带来一定隐患。电致发光(EL)检测技术,作为一种全新的电池质量检测应运而生。本论文正是基于此,以产业化常规单晶硅太阳能电池为基础,采用电致发光(EL)技术对工艺生产中出现的各种缺陷进行研究。通过进一步的探究这些问题的来源,并给出合理的解释以及解决方案,这对公司改进工艺、提高效率和稳定生产都有着至关重要的意义。采用电致发光(EL)检测技术,不但可以检测到电池内部缺陷,而且可以精确定位,整个成像过程仅需要不到Is。通过检测图像中缺陷出现的位置、大小、形状以及明暗程度等,借助IV测试、四探针测试、UV测试、SEM测试、国家标准Schimmel法、水煮法、EDS测试、金相显微镜、椭偏仪等辅助手段进行研究,判断出了断栅、过刻、隐裂、虚印、黑斑、黑点、划痕、黑片等导致电池效率降低的缺陷来源,发现PECVD正面打火片其体内Si、N、0的成分比发生明显改变,并且在波长300-1100nm整个范围内,反射率明显偏高,在中心波长650nm处达到了 10%,而短路电流Isc为9.221mA,比正常片偏低。然后通过数据表征、理论分析以及工艺参数调试等手段,将硅电池丝印工艺的断栅比例,由原来的0.748%降为了0.573%。同时证明了倒角发黑片是由原始硅片带来的,不是公司工艺所引起的。针对电致发光(EL)技术检测到的黑边框、皮带印、隐裂等不良情况,分析其原因,并提出了解决方案,降低了 B类以及C类电池片出现上述缺陷的发生概率,提高了公司产线的良品率。