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本论文研究了GaAs／AlGaAs多量子阱材料的电子以及自由电子激光辐照效应。采用能量为1MeV、注量为1013～1016／cm2的电子辐照，模拟太空环境下范艾仑带对多量子阱的辐射。测量了辐照前后样品的光致发光谱，发现随着注量的增加，量子阱特征峰强度变小，但荧光峰没有消失，说明辐照注量没达到阈值。利用波长为8.92um，与功率密度相对应的电场强度为20kV／cm的自由电子激光辐照多量子阱60分钟，通过光致发光谱和OTCS谱，对材料的光学性质以及量子阱结构中的能级进行了研究。分析光致发光谱，发现量子阱特征峰经过辐照后峰值发生红移，波形展宽，峰高降低。结果表明自由电子激光辐照引起了增强扩散，改变GaAs／AlGaAs多量子阱结构的原子分布情况，从而实现量子阱能级的微调，OTCS谱的结果证实了自由电子激光辐射引入新的缺陷能级，量子阱结构发生变化。