掺杂钛酸铋薄膜的铁电与光学性质

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在铁电随机存储器(FeRAM)中,信息存储在铁电薄膜的极化方向中,由极化翻转电流读取信息。这就要求铁电薄膜具有以下特征:剩余极化强度值Pr要大,以便从小面积电容上可以得到较大的极化翻转电流;矫顽电场Ec要小,以使FeRAM可以在低电压下操作;疲劳和印迹要小,疲劳指多次翻转后剩余极化强度变小,而印迹指在两个方向上极化不对称。至今为止,在上述FeRAM要求的条件下,已经有多种铁电材料被研究。其中,主要有三种重要的材料可以用于FeRAM:PbZr_xTi_(1-x)O_3(PZT),Sr
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