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脉冲激光沉积是一种简单高效,适用于多种材料,可在低温衬底上获得良好结晶性的薄膜沉积方法,并且在催化剂、衬底温度、激光功率等多种条件的作用下,不但可以生长半导体的平面多晶薄膜,也可以高效地生长半导体一维纳米结构。本文以宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物CdS为研究对象,利用激光脉冲沉积方法,通过对上述条件的调节,在硅衬底上生长一种纳米线和薄膜的复合结构,对其进行表征,并研究其性质和生长模式。首先在2×10-3Pa的真空条件下,利用2倍频Nd:YAG脉冲激光(532nm)烧蚀高纯度Ni靶,产生的等离子