半导体材料在当今社会的许多领域当中都具有非常广泛的应用,从高科技领域到日常家用电器,都离不开半导体材料的支持。而在半导体材料中,过渡金属氧化物半导体材料由于其种类多样、结构可控、制备工艺多样、性能优越等种种特性,越来越得到深入研究和广泛应用,例如传感器、光催化、新能源、超级电容器、电致变色器件等。五氧化二钽是过渡金属氧化物材料中比较常见的一种。它的介电常数很高,对光的透射性能比较好,在很多方面都有十分广泛的应用,例如非易失性存储器、高介电薄膜材料、光催化等。五氧化二钒的晶体呈现为片状,具有比较好的离子的存储性能和一定的电致变色能力,它也是被应用得较为普遍的一种材料,例如其可应用在新能源电池、光电器件、传感器等领域。本论文主要通过磁控溅射射频方式来制备五氧化二钽、五氧化二钒薄膜材料。利用透射率谱线、复平面阻抗谱、循环伏安、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、四探针等手段来表征薄膜的光电特性。通过磁控溅射射频方法,利用金属Ta靶制备了Ta₂O₅薄膜。当溅射时间不同时,薄膜的阻抗特性产生了不同程度的改变;但是在可见光范围内,薄膜的透射率只是产生较小的差别。当改变制备薄膜时的氧气氩气流量比例时,Ta₂O₅薄膜的阻抗特性及在可见光范围内的透射率都发生了一定程度的改变。在空气氛围中对薄膜材料进行退火处理,会使其阻抗增大,且薄膜的晶体结构也发生了一定程度的改变。应用四探针大致测量了Ta₂O₅薄膜的表面电阻,发现其阻值基本集中在kΩ量级。利用磁控溅射制备出Al₂O₃透明薄膜,并将其与Ta₂O₅薄膜进行复合,利用纳米介孔Al₂O₃与Ta₂O₅进行复合,探究了它们对薄膜光电特性的影响。通过磁控溅射射频法制备V₂O₅薄膜材料。不同的氧气氩气流量比例,对V₂O₅薄膜电致变色性能具有一定程度的影响。空气中退火对V₂O₅薄膜的电致变色透射率、阻抗特性等都会有一定程度的改变。应用循环伏安法探究了不同制备条件对薄膜稳定性、可逆性的影响,找到了可逆性较好的制备条件。并且大致测量了V₂O₅薄膜的表面电阻,以及退火对薄膜表面电阻的改变。