晶体滤波器由于具有诸多优点使其在中频应用范畴内仍具有不可替代的作用。但受限于国内基础工艺水平和基础材料等多方面因素，在高性能晶体滤波器方面相比国外还有一定差距，为满足快速发展的各类武器装备对晶体滤波器的需求，开展晶体滤波器领域的研制工作显得特别重要。本课题正是由某部门提出的“分立式石英晶体滤波器”的研制项目，主要针对国内目前现状，在现有技术基础上，选定典型参数，集中解决关键共性技术，提高工艺水平和批生产能力。本论文以高选择性晶体滤波器的研制作为主要研究对象，在深入分析当今晶体滤波器设计理论和技术原理的基础上，结合多年来晶体滤波器的实践经验，对晶体滤波器的小矩形系数、高阻带衰减以及宽温工作稳定性等关键共性技术进行了详尽的讨论和研究。主要包括以下几方面内容：1.分析了当今最为常用的晶体滤波器设计理论和方法，采用网络综合法设计原理详细推导了差接桥型窄带八晶体滤波电路。根据多年的设计经验，对滤波电路进行了有效的改进，经过计算机仿真分析表明，改进型设计电路切实可行。2.详细介绍了高选择性晶体滤波器的研制过程，并分别对滤波晶体和滤波器制作过程中的部分关键工艺点进行了探讨。总结出了影响晶体滤波器关键参数的诸多因素，并提出了相关解决措施，很好地解决了晶体滤波器的高阻带衰减和宽温工作稳定性的技术难题。3.对样品实测结果与技术协议进行了对比分析，介绍了课题的研制成果及其推广应用情况。结果表明，高选择性晶体滤波器达到了协议指标的要求，并成功将研制成果进行了推广应用。通过本课题的研究，在较小的滤波器体积内实现了矩形系数(K60/3)≤2.0、阻带衰减≥90dB、适用工作温度范围-55℃~+85℃等高性能指标。